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抗干擾開發(fā)系統(tǒng)
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產(chǎn)品名稱/型號(hào)
產(chǎn)品簡(jiǎn)單介紹
抗干擾開發(fā)系統(tǒng)
E1
大部分電子產(chǎn)品需要通過電快速瞬變脈沖群（Burst）和靜電放電（ESD）等項(xiàng)目的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。測(cè)試時(shí)，把干擾脈沖從設(shè)備外部耦合到內(nèi)部，同時(shí)監(jiān)視設(shè)備的工作狀態(tài)。如果設(shè)備沒有通過這些標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試，測(cè)試本身幾乎不能提供任何如何解決問題的信息。 E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)能采用不同的方式，向電子模塊直接注入干擾電流、電場(chǎng)和磁場(chǎng)，在設(shè)備內(nèi)部仿真干擾的過程，以定位電路板上電磁薄弱點(diǎn)，理解耦合機(jī)理，完成優(yōu)化后的設(shè)計(jì)修改。 E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)不能按照某個(gè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行兼容性測(cè)試。所以建議先對(duì)被測(cè)物進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)的抗干擾測(cè)試（必要的話，在EMC實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行測(cè)試），然后對(duì)可能的故障原因進(jìn)行分析，再利用E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)來找出更多的故障原因，并利用E1在產(chǎn)品開發(fā)場(chǎng)地進(jìn)行設(shè)計(jì)修改的評(píng)估。
E1 磁場(chǎng)探頭
S2 set
電子設(shè)備和電子元件在干擾作用下會(huì)產(chǎn)生快速瞬態(tài)脈沖磁場(chǎng)，E1 磁場(chǎng)探頭 S2 set探頭組中包含的有源和無源磁場(chǎng)探頭可以無反饋地測(cè)量這些快速瞬態(tài)脈沖磁場(chǎng)。借此就可以分析爆沖或ESD-過程，爆沖或ESD會(huì)對(duì)受測(cè)物產(chǎn)生干擾。磁場(chǎng)探頭通過光纖連接把測(cè)得的信號(hào)傳到SGZ 21的光學(xué)輸入口。E1 磁場(chǎng)探頭 S2 set探頭組只能與脈沖群發(fā)生器SGZ21 連接使用。
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